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文章分析存储器市场（DRAM和NAND）自2024年起的爆炸式增长，指出其核心驱动力是AI数据中心巨额资本支出引发的供需失衡，导致价格飙升而非出货量激增；同时强调该繁荣受制于半导体固有的‘硅周期’，历史规律表明正增长难以持续五年以上，预计2027–2028年将进入深度衰退。
中国存储产业迎来超级周期，长鑫存储与长江存储分别在DRAM和NAND领域实现规模化量产并冲刺IPO，兆易创新等设计企业及江波龙等模组厂商业绩暴增，澜起科技等接口芯片企业受益于DDR5与AI升级，全产业链协同崛起。
文章探讨存储股下跌是否意味着AI主线退潮，指出AI需求并未减弱，而是持续深化：任务复杂度提升、执行步骤增多、专业领域（如生命科学、投研、财务）加速渗透，Token与能耗增长反映实际工作量扩张，核心判断标准是人类是否持续将更多完整任务交由AI完成。
芯天下技术股份有限公司二次冲刺港股IPO，专注代码型闪存芯片研发设计，主营NOR Flash和SLC NAND Flash，产品应用于智能门锁、车机系统等场景；经历行业下行后业绩回暖，2025年扭亏为盈，2026年Q1净利润大幅增长，受益于低价晶圆释放及新工艺量产，叠加SLC NAND供应短缺推高价格。
美国银行报告指出，近期存储股回调源于市场对Meta算力外售、长鑫存储入苹果供应链及韩国扩产的过度担忧，但DRAM与NAND价格仍处高位、云厂商资本开支持续增长、先进产能供给受限，行业基本面未现拐点，正从普涨转向盈利兑现和个股分化阶段。
内存价格持续上涨，二季度DRAM合约价环比涨74%、NAND涨60%，主要受AI服务器和云厂商需求拉动；但手机减产、PC终端承压及长期协议价格上限制约涨幅兑现，三季度涨价幅度明显收窄至DRAM 13%-18%、NAND 10%-15%，消费电子已显现需求抑制迹象。
普冉股份通过聚焦中小容量利基存储芯片（NOR Flash、EEPROM），以差异化工艺切入巨头退出的细分市场，实现全球市占率提升；依托周期波动进行库存策略博弈，并收购SLC NAND厂商SHM拓展产品线，但面临市场规模有限、技术迭代退潮及供应链依赖等长期风险，其千亿市值高度依赖短期周期红利与‘拾荒式’增长叙事。
文章聚焦3D NAND闪存技术演进，指出随着堆叠层数突破375层至604层，字线金属材料正从钨转向电阻率更低、无需阻挡层的钼，形成确定性产业拐点；该趋势驱动半导体级高纯钼前驱体需求增长，受益于认证壁垒与供给刚性，钼价有望上行，雅克科技等企业成为关键标的。
文章分析当前存储市场（DRAM和NAND）因AI数据中心巨额投资引发的爆发式增长，指出其出货金额与价格均飙升至历史峰值，同比增长率达285%；同时警示该热潮受制于半导体“硅周期”，过去35年存储正增长从未超过5年，预计2027–2028年将面临史无前例的深度衰退，并强调企业须在景气期未雨绸缪，应对需求萎缩与氦气、光刻胶等供应链中断的双重风险。
摩根士丹利研报指出GPU和存储芯片（DRAM/NAND）全球短缺将持续至2027年底甚至更久，Meta等巨头自建云是产能极度紧缺的直接证据；缺货源于物理性产能建设周期长，而非需求疲软，支撑NVDA、AMD及存储厂商的长期定价权与盈利优势。
铠侠在北上K2工厂启动BiCS-10 3D NAND量产，推出1Tb TLC样品，主攻企业级与AI数据中心SSD；接口速度提升至4.8Gb/s，位密度与能效显著优化，但短期盈利仍依赖BiCS-8放量；摩根士丹利维持‘超配’评级，目标价隐含约32%上行空间，核心取决于客户认证、K2产线爬坡及AI存储份额兑现。
三星电子2026年二季度营业利润预计达85.5万亿韩元，同比暴增18倍，创全球科技公司单季最高纪录，主要受益于AI驱动的DRAM与NAND内存短缺及价格大幅上涨，芯片业务贡献超94%利润，但手机业务因成本飙升面临年度亏损风险。
摩根士丹利研报指出NAND行业呈现AI与消费电子需求分化：AI服务器端持续短缺至2027年，而智能手机和PC等消费端已现订单削减、定价见顶；三家公司目标价大幅上调，其中慧荣科技因向企业级SSD和AI启动盘转型获评级同步上调，江波龙与群联仅目标价上调但维持中性评级，反映模组厂议价权受限。
高盛报告指出2026年三季度DRAM价格涨幅（13%-18%）强于NAND（10%-15%），服务器与PC端DRAM持续涨价且DDR5溢价扩大，显示供需偏紧；NAND内部分化明显，企业级SSD强劲而消费端eMMC/UFS温和，拖累整体涨价弹性；三星存储业务受益但NAND盈利修复不及预期。
伯恩斯坦研报预测全球半导体设备市场2026年WFE将增长21.4%，主要由DRAM和NAND资本开支驱动；美国AMAT、LRCX、KLAC与中国北方华创、中微公司、拓荆科技六家龙头均被给予优于大市评级，凸显技术壁垒与国产替代双主线共振。
